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• 结构陶瓷革命：氮化铝与氧化铍陶瓷基板如何重塑第三代半导体散热格局
  📅 2026-04-04
  随着以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件向高功率、高频化发展，传统散热方案已触及瓶颈。以氮化铝和氧化铍为代表的先进结构陶瓷材料，凭借其卓越的热导率、优异的绝缘性以及与半导体材料匹配的热膨胀系数，正成为解决散热难题的关键。本文深入探讨这两种工业陶瓷如何从材料科学层面，为功率模块、射频器件等带来革命